Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6004END3TL1
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6004END3TL
R6004END3TL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6004END3TL1, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 4A sürekli dren akımı ve 980mOhm RDS(on) değeri ile güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığına kadar çalışabilen bileşen, güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş voltajı ve 15nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 59W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok