Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6004CNDTL

MOSFET N-CH 600V 4A CPT3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
R6004CNDTL

R6004CNDTL Hakkında

R6004CNDTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 4A sürekli drenaj akımı ve 1.8Ω RDS(on) değeriyle düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama devreleri, SMPS kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±25V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 40W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok