Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6002ENHTB1
600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6002
R6002ENHTB1 Hakkında
R6002ENHTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. SOP8 yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 1.7A sürekli drenaj akımı ve 3.4Ω maksimum kanal direnci (10V gate geriliminde, 500mA'de) ile karakterize edilir. 6.5nC gate yükü ve 65pF giriş kapasitansı sayesinde düşük anahtarlama kaybı sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi aralığında çalışabilen bu FET, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum juction sıcaklığında ve 2W güç dağılımında dayanıklı çalışır. Vgs(th) değeri 4V @ 1mA'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 65 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok