Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6002ENDTL
MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6002
R6002ENDTL Hakkında
R6002ENDTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 1.7A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve enerji dönüştürme uygulamalarında yer bulur. 3.4Ω maksimum on-direnç (Rds On) ve düşük gate charge karakteristiği ile verimli işletme sağlar. 150°C çalışma sıcaklığı ve 20W güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 65 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok