Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6000ENHTB1
600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6000ENHTB
R6000ENHTB1 Hakkında
R6000ENHTB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. SOP8 Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 500mA sürekli drain akımı ve 8.8Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. 45pF input kapasitansı ve 4.3nC gate charge karakteristikleri ile hızlı komutasyon performansı sağlar. ±20V gate-source voltajı ve 5V threshold voltajı ile kontrol edilebilir. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç kaynakları ve similar yüksek voltaj devrelerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 45 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok