Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R5207ANDTL

MOSFET N-CH 525V 7A CPT3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
R5207A

R5207ANDTL Hakkında

R5207ANDTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 525V drain-source voltajı ve 7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlamalı güç dönüştürücülerde tercih edilir. ±30V gate-source voltaj aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığına dayanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 525 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok