Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5021ANX
MOSFET N-CH 500V 21A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5021AN
R5021ANX Hakkında
R5021ANX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 21A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket ile Through Hole montajını destekler. 210mOhm maksimum on-state direnci (10.5A, 10V koşullarında) düşük güç kaybı sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında 50W güç dağıtabilir. Gate charge karakteristiği 64nC@10V ve threshold voltajı 4.5V@1mA olup, kontrollü anahtarlama uygulamaları için uygundur. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok