Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R5016ANX

MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R5016ANX

R5016ANX Hakkında

R5016ANX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 16A sürekli dren akımı kapasitesi ve 270mΩ (10V, 8A) maksimum RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 50nC gate charge ve 1800pF input capacitance özellikleriyle anahtarlama hızı ve enerji verimliliği sağlar. Endüstriyel kontroller, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde uygulanır. ±30V maksimum gate gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş çalışma aralığını destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok