Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5013ANXFU6
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5013ANX
R5013ANXFU6 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R5013ANXFU6, 500V Drain-Source geriliminde 13A sürekli drenaj akımı sağlayan N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paket türünde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevleri görmek üzere tasarlanmıştır. 10V gate sürme geriliminde 380mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 35nC gate şarjı ile verimli komütasyon sağlar. 50W güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel kontrol, SMPS (Switched Mode Power Supply), motor kontrol ve elektriksel konverter uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate gerilimi aralığında güvenli çalışır ve 150°C junction sıcaklığında operas yon yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok