Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5013ANJTL
MOSFET N-CH 500V 13A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5013ANJ
R5013ANJTL Hakkında
R5013ANJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 380mOhm on-resistance (Rds on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol, AC-DC konvertörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. ±30V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C junction sıcaklığına kadar dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok