Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5011FNJTL
MOSFET N-CH 500V 11A LPT
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5011FNJ
R5011FNJTL Hakkında
R5011FNJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 520mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 30nC gate yükü ve 950pF giriş kapasitansı hızlı komütasyon özelliği gösterir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bileşen, 150°C maksimum çip sıcaklığında 50W güç yayılımı toleransına sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler, anahtarlama güç kaynakları ve motor sürücüleri gibi yüksek gerilimli switching uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok