Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5011ANX
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5011
R5011ANX Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R5011ANX, 500V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel power MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 500mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kontak kayıpları sağlar. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında 50W güç tüketimine olanak tanır. Endüstriyel güç denetim devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalar için uygundur. 30nC gate charge ve 1000pF input capacitance değerleriyle kontrollü anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok