Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5011ANJTL
MOSFET N-CH 500V 11A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5011ANJ
R5011ANJTL Hakkında
R5011ANJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilim dayanımı ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 500mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paket tipi ile yüzey montajlı uygulamalara uygundur. Maksimum 75W güç tüketimi ve -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir. Gate charge 30nC ve 1000pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok