Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5009FNX
MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5009FN
R5009FNX Hakkında
R5009FNX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, 10V gate sürüş geriliminde 840mOhm'luk düşük Rds(on) değeriyle verimli iletim sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve 50W maksimum güç tüketimiyle endüstriyel kontrol devreleri, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. Gate kapasitesi 630pF olup, hızlı komütasyon özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 840mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok