Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5009FNJTL
MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5009FNJ
R5009FNJTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R5009FNJTL, 500V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, endüstriyel güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve boost converter'lar gibi güç elektronik sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 840mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 150°C işletme sıcaklığında 50W güç yayabilir. Düşük gate charge (18nC @ 10V) ve minimize kapasitans özellikleri hızlı anahtarlama ve düşük komutasyon kayıpları için uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 840mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok