Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5009ANJTL
MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5009ANJ
R5009ANJTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R5009ANJTL, 500V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 9A sürekli drain akımı ve 50W maksimum güç kaybı kapasitesiyle, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 720mOhm on-resistance değeri ile verimli enerji transferi sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konverterler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile geniş çalışma aralığını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok