Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5007FNX
MOSFET N-CH 500V 7A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5007FN
R5007FNX Hakkında
R5007FNX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, invertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 1.3Ω maksimum on-direnci (10V gate geriliminde 3.5A'de) ile verimli çalışma sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 40W güç dissipasyonunda tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok