Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R5007ANX
MOSFET N-CH 500V 7A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R5007ANX
R5007ANX Hakkında
R5007ANX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 1.05Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürücü geriliminde 13nC gate yükü ve 500pF input kapasitansiyle hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilmektedir. Maksimum 40W güç tüketimi ve 150°C işletme sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok