Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R5007ANJTL

MOSFET N-CH 500V 7A LPTS

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
R5007A

R5007ANJTL Hakkında

R5007ANJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj derecelendirilmesi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 1.05Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. Gate eşik voltajı 4.5V olup, 150°C çalışma sıcaklığına dayanır. 40W güç yayılma kapasitesi ile AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 13nC gate şarjı ve 500pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlamaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package LPTS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok