Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
QS6U24TR
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- QS6U24TR
QS6U24TR Hakkında
QS6U24TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 400mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Izole Schottky diyot özelliği ile entegre edilen QS6U24TR, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında ve 1.25W güç harcaması kapasitesiyle anahtarlama ve sinyal kontrolü uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge değeri (1.7nC @ 5V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi devreleri ve basit güç denetim uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok