Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

QS6U22TR

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
QS6U22TR

QS6U22TR Hakkında

QS6U22TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source voltajı ve 1.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 215mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ve entegre Schottky diyot ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. SOT-23-6 paketinde sunulan bu bileşen, tüketici elektroniği, pil yönetim devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. ±12V gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar sıcaklıklarda kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok