Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

QS5U33TR

MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5

Paket/Kılıf
SOT-23-5 Thin
Seri / Aile Numarası
QS5U33TR

QS5U33TR Hakkında

QS5U33TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-5 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 135mOhm on-resistance değerine sahiptir. Entegre Schottky diyot özelliği ile reverse current koruması sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 1.25W güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve load switching gibi elektronik sistemlerde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli bir çalışma aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TSMT5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok