Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

QS5U28TR

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5

Paket/Kılıf
SOT-23-5 Thin
Seri / Aile Numarası
QS5U28TR

QS5U28TR Hakkında

QS5U28TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-5 (TSMT5) paketinde sunulan bu transistör, 4.5V gate geriliminde 125mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değerine sahiptir. Entegre Schottky diyot özelliği içeren bileşen, ±12V gate gerilim aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında kullanılabilir. Düşük gate charge (4.8 nC @ 4.5V) ve düşük input kapasitansı (450 pF @ 10V) ile anahtarlama hızını destekler. Endüstriyel kontrol devresi, güç yönetimi, PWM uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama işlemlerinde kullanılır. Surface mount montajı için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok