Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

QS5U26TR

MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5

Paket/Kılıf
SOT-23-5 Thin
Seri / Aile Numarası
QS5U26TR

QS5U26TR Hakkında

QS5U26TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ve 1.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-5 (TSMT5) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 200mΩ RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. İzole Schottky diyodu içeren FET özelliği, anahtarlama devrelerinde geri dönüş koruması sunar. Gate charge değeri 4.2nC ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 1.25W güç harcaması yapabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok