Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
QS5U16TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-5 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- QS5U16TR
QS5U16TR Hakkında
QS5U16TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-23-5 yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 100mOhm maksimum on-state direnci (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot sayesinde anahtarlama uygulamalarında hızlı dönüş özelliği gösterir. ±12V gate-source gerilimi aralığında çalışan transistör, 1.5V threshold voltajı ile TTL/CMOS lojik seviyelerinden kolayca kontrol edilebilir. Motor sürücüleri, güç anahtarları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenle çalıştırılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT5 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok