Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

QS5U13TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

Paket/Kılıf
SOT-23-5 Thin
Seri / Aile Numarası
QS5U13TR

QS5U13TR Hakkında

QS5U13TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 2A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 100mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Entegre Schottky diyot yapısı sayesinde ters akım koruması sunmaktadır. SOT-23-5 (TSMT5) paketlemesi ile kompakt tasarımlara uygun olup, mobil cihazlar, pil yönetim sistemleri, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±12V gate voltajı aralığında çalışabilir ve maksimum 1.25W güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok