Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

QS5U12TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

Paket/Kılıf
SOT-23-5 Thin
Seri / Aile Numarası
QS5U12TR

QS5U12TR Hakkında

QS5U12TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı ile çalışan bu transistör, SOT-23-5 yüzey montaj paketine sahiptir. Dahili Schottky diyot özellikleriyle, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate geriliminde maksimum 100mOhm on-resistance değerine sahip olan QS5U12TR, düşük güç tüketimi gerektiren DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlamalı uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C jonksiyon sıcaklığında çalışabilen bu bileşen, mobil cihazlar, IoT ürünleri ve hafif güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok