Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PXP9R1-30QLJ

PXP9R1-30QL/SOT8002/MLPAK33

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PXP9R1-30QL

PXP9R1-30QLJ Hakkında

PXP9R1-30QLJ, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 10.9A sürekli drenaj akımı (Ta) ile çalışabilen bu bileşen, 9.1mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç kaynakları ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan MLPAK33 paketi yüksek güç dissipaasyonu gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 86nC gate charge ve 2860pF input capacitance değerleri, hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.9A (Ta), 57.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2860 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 10.8A, 10V
Supplier Device Package MLPAK33
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok