Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PXN018-30QLJ

PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
PXN018-30QL

PXN018-30QLJ Hakkında

PXN018-30QLJ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile 7.5A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 18mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerVDFN (MLPAK33) yüzey montajlı paketinde sunulur. Gate şarj (Qg) 10.8nC ve giriş kapasitanı (Ciss) 447pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 447 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta), 10.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package MLPAK33
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok