Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN9R5-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PSMN9R5-100BS

PSMN9R5-100BS,118 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN9R5-100BS,118, 100V drain-source gerilimi ve 89A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanan N-Channel MOSFET'tir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı pakete sahip bu transistör, 9.6mΩ maksimum on-resistance (10V, 15A koşullarında) ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen komponent, -55°C ile 175°C arası işletme sıcaklığında kullanılabilir. 82nC gate charge ve 4454pF input capacitance karakteristikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve ağır akım anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 89A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4454 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok