Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN9R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN9R0-30YL
PSMN9R0-30YL,115 Hakkında
PSMN9R0-30YL,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 61A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8mΩ on-state direnci (10V gate geriliminde) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. SC-100/SOT-669 (LFPAK56) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 46W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1006 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok