Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN9R0-30LL,115

MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN

Paket/Kılıf
8-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PSMN9R0-30LL

PSMN9R0-30LL,115 Hakkında

PSMN9R0-30LL,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 21A sürekli drenaj akımı ve 9mΩ on-state direnci (RDS(on)) ile sahiptir. 8-VDFN paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama uygulamalarında, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 50W güç saçma kapasitesine sahip transistör, yüksek sıklıklı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Gate charge değeri 20.6nC ile hızlı komütasyon özelliği sağlar. Komponent güncel olmayan (obsolete) olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1193 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok