Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN8R9-100BSEJ

MOSFET N-CH 100V 108A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PSMN8R9-100BS

PSMN8R9-100BSEJ Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN8R9-100BSEJ, 100V drain-source gerilimi ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistörüdür. D2PAK (TO-263-3) yüzeye monte paketi ile sunulan bu bileşen, 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 128 nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 296W maksimum güç dağıtma kapasitesi ve 175°C çalışma sıcaklığı ile motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yer alabilir. Yüksek akım işleyen uygulamalar için tasarlanmıştır. Not: Bu ürün kullanım dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 296W
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok