Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN8R7-80BS,118
MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN8R7-80BS
PSMN8R7-80BS,118 Hakkında
Nexperia PSMN8R7-80BS,118, 80V drain-source gerilimi ve 90A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 8.7mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrolünde, anahtarlama devrelerinde ve güç kaynakları tasarımında kullanılır. 170W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 52nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür. 10V drive voltajında optimize edilmiş bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3346 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok