Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN8R5-100ESQ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN8R5-100E
PSMN8R5-100ESQ Hakkında
PSMN8R5-100ESQ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100A sürekli drain akımı ve 100V drain-source gerilimi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 263W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ağır yüklü anahtarlama görevlerine uygundur. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5512 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok