Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN8R5-100ESFQ
MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN8R5-100ES
PSMN8R5-100ESFQ Hakkında
PSMN8R5-100ESFQ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 97A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 8.8mΩ maksimum dren-kaynak direnci (10V Vgs'de, 25A'de) ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 183W güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Yüksek akım uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. Cihazın Gate Charge değeri 44.5nC'dir ve input kapasitanası 3181pF'dir. Halen üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 97A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3181 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 183W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok