Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN8R3-40YS,115

MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN8R3-40YS

PSMN8R3-40YS,115 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN8R3-40YS,115 bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj derecelendirmesi ile 70A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, düşük 8.6mOhm on-state direnç (10V gate voltajında) ile verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. LFPAK56 (SOT-669) yüzey montajlı paketlemesi kompakt ve yüksek ısı hava akışı gerektiren tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem sunmaktadır. 20nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olup, güç dönüştürme devreleri, motorla sürüş kontrol sistemleri, batarya yönetimi ve PWM kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile uyumlu giriş işaretleme aralığında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1215 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok