Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN8R0-80YLX

MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN8R0-80YLX

PSMN8R0-80YLX Hakkında

PSMN8R0-80YLX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ile 100A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8mΩ (10V, 25A koşullarında) RDS(on) değeri ile verimli enerji iletimi sağlar. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) surface mount paketinde sunulan komponent, ±20V gate gerilim aralığında çalışır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 238W maksimum güç tüketimi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanımı uygun kılmaktadır. Gate charge değeri 104nC (@10V) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8167 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 238W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok