Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN8R0-30YLC115
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN8R0-30YLC
PSMN8R0-30YLC115 Hakkında
PSMN8R0-30YLC115, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 54A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 7.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. SC-100/SOT-669 (LFPAK56) paketinde tedarik edilen bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bileşen, 42W maksimum güç kayıplandırabilir. 1.95V kapı eşik gerilimi ve 848pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 848 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok