Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN8R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN8R0-30YL
PSMN8R0-30YL,115 Hakkında
PSMN8R0-30YL,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 62A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-resistance (8.3mOhm @ 10V) ile tasarlanmıştır. SC-100/SOT-669 LFPAK56 paketinde sunulan komponent, güç dönüştürme, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 56W güç tüketimi toleransına sahiptir. 10V gate drive voltajında 18.3nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Şu anda üretim dışı durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1005 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok