Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN7R8-120PSQ

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
PSMN7R8-120PSQ

PSMN7R8-120PSQ Hakkında

PSMN7R8-120PSQ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 120V drain-source gerilimi ve 70A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 7.9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 349W maksimum güç tüketimi ile güç elektroniği, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürücü gerilimi ile entegre devrelerden doğrudan kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9473 pF @ 60 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok