Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN7R8-120ESQ
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN7R8-120ES
PSMN7R8-120ESQ Hakkında
PSMN7R8-120ESQ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 120V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 70A sürekli dren akımı (Id) kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 7.9mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışır. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montajı ile PCB'lere doğrudan lehimlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9473 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 349W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok