Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN7R8-120ESQ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN7R8-120ESQ
PSMN7R8-120ESQ Hakkında
PSMN7R8-120ESQ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 120V drain-source voltajı ve 70A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 7.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262 (I²Pak) paketinde Through-Hole montajına uygun olup, endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama kaynakları ve enerji dönüştürme devrelerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 349W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9473 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 349W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok