Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN7R6-100BSEJ

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PSMN7R6-100BS

PSMN7R6-100BSEJ Hakkında

PSMN7R6-100BSEJ, Nexperia tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 75A sürekli drain akım kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface Mount D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulur. 7.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 128nC gate charge ve 7110pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7110 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 296W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok