Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN7R0-100ES,127
MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN7R0-100ES
PSMN7R0-100ES,127 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PSMN7R0-100ES,127, 100V/100A kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. 6.8mΩ düşük on-resistance değeri ile ısıl yönetimi iyileştiren tasarımlara uygun hale gelir. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Gate kontrol gerilimleri ±20V aralığında, 125nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 269W güç dağıtım kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6686 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 269W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok