Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN6R3-120ESQ

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
PSMN6R3-120ESQ

PSMN6R3-120ESQ Hakkında

Nexperia PSMN6R3-120ESQ, 120V'de 70A sürekli drenaj akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu FET, 6.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. ±20V gate gerilim aralığında çalışan bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürme uygulamalarında ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 405W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11384 pF @ 60 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok