Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN6R1-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN6R1-30YL
PSMN6R1-30YLDX Hakkında
PSMN6R1-30YLDX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 66A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SC-100/LFPAK56 yüzey montaj paketi içinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 66A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 817 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok