Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN6R0-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN6R0-30YL

PSMN6R0-30YLDX Hakkında

PSMN6R0-30YLDX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 66A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6mΩ düşük on-dirençi (Rds On) sayesinde güç kaybını minimize eder. SC-100 (LFPAK56) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen cihazın maksimum 47W güç dissipasyonu kapasitesi vardır. 13.7nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 832 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok