Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN6R0-25YLDX

MOSFET N-CH 25V 61A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN6R0-25YL

PSMN6R0-25YLDX Hakkında

PSMN6R0-25YLDX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 25V maksimum drain-source gerilimi ve 61A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük gerilim uygulamalarında yüksek akım anahtarlaması için tasarlanmıştır. 6.75mΩ maksimum RDS(on) değeri ile minimum iletim kayıpları sağlar. Gövde içinde entegre Schottky diyot bulunur. SC-100 (LFPAK56) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve yük anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 61A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 705 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.75mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok