Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN5R9-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN5R9-30YL
PSMN5R9-30YL,115 Hakkında
PSMN5R9-30YL,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 78A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6.1mOhm'luk düşük on-state direnci ile enerji kaybını minimize eder. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, pil yönetimi sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Maksimum 63W güç tüketimine sahiptir. Not: Bu bileşen üretilmiş parçalar listesine alınmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 78A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1226 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok